| 型号：IPB65R110CFD | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 31.2A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 110 毫欧 @ 12.7A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4.5V @ 1.3mA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 118nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 3240pF @ 100V |
| 功率_最大 | 277.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
| 深圳市鑫晟源电子科技有限公司 | 赖0755-83538837 |
| 辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
| 深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
| 深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
| 深圳市楷瑞达科技电子有限公司 | 张13528893675/15710790696/0755-36335768 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳市川蓝电子科技有限公司 | 彭小姐0755-82522939 |
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